DRAM和Flash芯片，收到一家美國創(chuàng)業(yè)公司開發(fā)出一種更緊湊更快的內(nèi)存芯片挑戰(zhàn)。新的內(nèi)存芯片被稱為交叉內(nèi)存（crossbar memory），由Crossbar研發(fā)，該公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席科學(xué)家是密歇根大學(xué)教授Wei Lu。

     演示用交叉內(nèi)存芯片正在臺積電制造，一塊200平方毫米大小的芯片能儲存1TB數(shù)據(jù)，相比之下，一塊類似大小的flash內(nèi)存芯片只能儲存16GB數(shù)據(jù)。所謂交叉內(nèi)存是指出兩層均勻分布棒狀的電極上下疊加在一起，上層和下層呈直角，形成一個網(wǎng)格。數(shù)據(jù)比特就儲存在交叉點。在Crossbar的芯片中，上層電極由銀構(gòu)成，下層由非金屬導(dǎo)體構(gòu)成，用非晶硅在交叉點儲存數(shù)據(jù)。Crossbar獲得了2500萬美元的投資商業(yè)化Lu的研究。